金刚线多晶无疑是多晶必要的路径之一。但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率,故须再多加一道表面蚀刻的制程处理,业界普遍称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(Metal Catalyzed Chemical Etching,MCCE)。
据悉,除了能解决外观问题之外,从转换效率的角度探讨,多晶电池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面都同时兼顾。
记者了解到,今年晶科能源完成了行业首家干法金刚线黑硅的产品(EAGLE BLACK)推出(提升约5w)。与其他家的RIE技术相比,晶科的RIE工艺能提升奈米开口,且倒金字塔绒面强、也利于陷光。另外,较黑的电池片也提升了弱旋光性的表现,同时增加了长、短波光的吸收,让电池片的效率提升更加显著。不论是在量产性、或是导入成本与提效的效果上,RIE都是目前最成熟、也最能获得效益的黑硅技术。晶科的RIE结合PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。
除此之外,晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发,开始进入认证阶段。
随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更规模化靠近,实验室效率数据已经开始显得不那么重要,不同厂商对于技术的客观定义也不同,对于晶科而言,能大量生产和兼顾成本优势的高效率产品,也在极大成大上决定了产品的市场价值。最重要的是能实现量产,而不是实验室样品。在未来的工艺大战中,这些特征指标才是技术的真正体现。我们的20%多晶电池已进入正式量产阶段,下一世代更高效率电池制程推进也符合预期。公司预计在未来3-5年时间内,实现60片多晶330瓦的量产,从而能将功率在现在基础上可提升22-30%。
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