新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb(64GB)的存储容量,单独晶粒数据传输速度可达100MB/S,三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品。按此速度到2020年即可量产容量达100TB的SSD固态硬盘,三星已经计划将新技术率先应用到企业级SSD产品中,与32层(每层)1TB存储技术混合生产32TB的企业级SSD盘产品。
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